405nm-160mW の半導体レーザーは BWT の標準化された製品であり、BWT はこの種の製品に対して完全に独立した知的財産権を持っています。
BWT は成熟したパッケージング技術と大規模な生産能力を備えているため、バッチ製品の一貫性を確保できます。2021年に天津自動生産基地が完成すると、生産能力が2倍になり、レーザーの小型、高輝度、大量生産に対する印刷業界の要件を完全に満たします。
波長: 405nm
出力電力: 160mW
ファイバーコア径:40μm
光ファイバーの開口数: 0.22 NA
アプリケーション:
CTP
・動作中のサージ電流を避けるため、定電流電源を使用してください。
- レーザー ダイオードは、仕様に従って使用する必要があります。
- レーザー ダイオードは十分に冷却して動作する必要があります。
- 動作温度範囲は 15℃ ~ 35℃ です。
- 保存温度範囲は-20℃~+70℃です。
仕様(25℃) | シンボル | 単位 | K405E03CN-0.160W | |||
最小 | 典型的 | 最大 | ||||
光データ(1) | CW出力パワー | PO | mW | 160 | - | - |
中心波長(2) | lc | nm | 405±5 | |||
スペクトル幅(FWHM) | △l | nm | - | 4 | - | |
温度による波長シフト | △l/△T | nm/℃ | - | 0.3 | - | |
電気データ | 電気から光への効率 | PE | % | 20 | - | - |
しきい電流 | Ith | mA | - | 30 | - | |
動作電流 | Iop | mA | - | - | 150 | |
動作電圧 | Vop | V | - | - | 5.5 | |
スロープ効率 | η | なし | - | 1.4 | - | |
繊維データ | コア径 | D芯 | μm | - | 40 | - |
開口数 | NA | - | - | 0.22 | - | |
コネクタ | - | - | FCフェルール | |||
その他 | ESD | Vesd | V | - | - | 500 |
保管温度(2) | Tst | ℃ | -20 | - | 70 | |
リードはんだ付け温度 | Tls | ℃ | - | - | 260 | |
リードはんだ付け時間 | t | 秒 | - | - | 10 | |
動作ケース温度(3) | Top | ℃ | 15 | - | 35 | |
相対湿度 | RH | % | 15 | - | 75 |