976-18W波長ロック半導体レーザーは、高い信頼性と広い波長ロック範囲を特長としています。波長ロッキングレーザーは、加工中に最高の波長ロッキング効果を確保する必要があります。BWT は自動化された機器を使用するため、BWT はチップごとに個別の VBG カップリング プロセスを使用します。バッチ生産が必要な場合、BWT の完全に自動化された生産設備は、バッチ製品のパフォーマンスの一貫性を確保できます。BWT の経験豊富な中国とヨーロッパの技術チームは、安定波ファイバー結合ダイオード レーザーの設計、開発、製造のための強固な基盤を築いてきました。
BWT は、波長ロック半導体レーザーの設計、開発、製造において 10 年以上の経験があります。2003 年以来、10 万を超える製品を国内外の数百の顧客に提供しており、現在ではファイバー レーザーや超高速レーザーのポンプ源として広く使用されています。製品の性能は完全に安定しており、信頼性が高く、多くのお客様に認められています。
波長:976±0.5nm
出力電力:18W
ファイバーコア径:105μm
光ファイバー開口数:0.22 NA
フィードバック保護: 1020-1200nm
アプリケーション:
ファイバーレーザー励起光源
- 操作中は、直接放射線に目や皮膚をさらさないようにしてください。
- 保管、輸送、および操作中は、ESD の予防措置を講じる必要があります。
・保管時、輸送時はピン間ショートが必要です。
- 動作電流が 6A を超える場合は、ソケットを使用する代わりに、ピンをはんだでワイヤに接続してください。
- はんだ付けポイントは、ピンの中央に近づける必要があります。はんだ付け温度は260℃以下、時間は10秒以内で行ってください。
- レーザーを操作する前に、ファイバー出力端が適切にクリーニングされていることを確認してください。ファイバーの取り扱いや切断時に怪我をしないように、安全プロトコルに従ってください。
最小注文数量: 1 ピース/ピース
納期:2~4週間
支払条件: T/T
仕様(25℃) | シンボル | 単位 | 最小 | 典型的 | 最大 | |
光データ ( 1 ) | CW 出力電力 | Po | w | 18 | - | - |
中心波長⑵ | λc | nm | 976±0.5 | |||
スペクトル幅(FWHM) | △λ | nm | - | - | 0.7 | |
温度による波長シフト | △λ/△T | nm/℃ | - | 0.02 | - | |
電流による波長シフト | △λ/△A | nm/A | - | 0.03 | - | |
電気データ | 電気から光への効率 | PE | % | - | 48 | - |
動作電流 | イオプ | A | - | 12 | 13 | |
しきい電流 | 第 | A | - | 0.9 | - | |
動作電圧 | バップ | V | - | 3.2 | 4 | |
スロープ効率 | η | なし | - | 1.7 | - | |
繊維データ | コア径 | ディコア | μm | - | 105 | - |
クラッド径 | お父さん | μm | - | 125 | - | |
開口数 | NA | - | - | 0.22 | - | |
ファイバー長 | Lf | m | - | 1 | - | |
ファイバールースチューブ径 | - | mm | 0.9 | |||
最小曲げ半径 | - | mm | 50 | - | - | |
ファイバー終端 | - | - | なし | |||
フィードバックの分離 | 波長範囲 | - | nm | 1020-1200 | ||
隔離 | - | dB | - | 30 | - | |
その他 | ESD | ヴェスド | V | - | - | 500 |
保管温度( 2 ) | Tst | °C | -20 | - | 70 | |
リードはんだ付け温度 | Tls | °C | - | - | 260 | |
リードはんだ付け時間 | t | 秒 | - | - | 10 | |
動作ケース温度( 3 ) | 上 | °C | 20 | - | 30 | |
相対湿度 | RH | % | 15 | - | 75 |
(1) 動作出力 18W@25°C で測定したデータ。
(2) Wavelength-Stabilized : 974.5nm から 977.5nm の帯域のパワーの割合 ≧90%。
(3) 操作および保管には、結露のない環境が必要です。
(4) パッケージ・ケースによって定義される動作温度。許容動作範囲は 20°C ~ 30°C ですが、性能は異なる場合があります。